[ 基础信息 ]
生产国家 :
制造厂商 :
购置日期 : 2026-04-09
规格型号 : PVD500S
[ 分类信息 ]
设备类型 :
设备编号 : S2400411
[ 联系信息 ]
联系人 : 赵玉娟, 吴倩
存放地址 : 能源材料化学研究院科研创新中心玉泉校区 805
联系电话 :
联系邮箱 :
[ 附加信息 ]
主要附件及配置 :
•真空单元：分子泵、旋片泵、真空规、高真空阀门、波纹管
•溅射系统：4套2英寸磁控靶、靶挡板、水冷组件
•基片系统：加热旋转样品台、温控模块、样品夹具
•气路系统：MFC质量流量计、气体管路、减压阀、混气室
•电源系统：DC电源、RF射频电源、脉冲电源、基片偏压电源
•控制系统：PLC控制柜、触摸屏、控制软件、工艺存储与报表
主要功能及特色 :
该设备为磁控溅射系统，配备2个射频电源和2个直流电源，最多可同时提供3路气体，本底真空度可达到10-7Torr数量级，衬底温度最高可达800℃。该设备可用于Al、Ag、Cu、ZnO、SiO2等金属、半导体或绝缘体薄膜的沉积，具有成膜速度快、厚度均匀、操作自动化程度高、稳定可靠等优点。
主要规格及技术指标 :
•真空系统：304不锈钢方形腔体Φ500×500×500mm；极限真空≤3.0×10⁻⁵Pa；抽气机组：分子泵+旋片泵
•溅射靶配置：4套φ2英寸永磁共焦磁控靶；靶基距可调；支持DC/RF/脉冲DC兼容
•基片台：最大适配φ4英寸样品；室温～800℃精准控温；可旋转、可加偏压
•工艺气路：3～5路质量流量控制（MFC）；支持Ar、O₂、N₂等反应气体
•成膜性能：膜厚均匀性**≤±3%**；可实现单镀、共镀、顺序溅射、反应溅射
