1)光电压谱测量：最小电压>100nV；功能材料的光电性质，可开展光催化等方面的机理研究；
2)光电流谱测量：最小电流>100 pA；研究功能材料光电流性质，可应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究；
3)光伏相位谱分析：相检测范围：-180°至+180°；可用于研究光生电荷的性质，如：光生电荷扩散方向；解析光生电荷属性等；
4)表面光电压、光电流、相位谱分析的光谱波长范围：200-1600nm，可以全光谱连续扫描，光谱分辨率0.1nm，波长准确度±0.1nm；
5)可以实现任意定波长下，不同强度光照下的表面光电压、光电流、相位谱分析，实现光谱分析的多元化；
6)光路设计一体化、所有光路均在暗室中或封闭光路中进行，无外界杂光干扰；
7)光源配置：氙灯光源（200/300-1100nm）；卤素灯光源（400-1600nm）；氘灯光源（190-400nm）；
8)氙灯光源500W，点光源（2-6mm），可以实现变焦，实现软件反控调节光的输入功率，可以实现250W-500W连续可调，USB接口控制，完成5）的测试分析；
9)单色仪：出入口可平行或垂直，焦距300mm，相对孔径：F/4.8，光学结构：非对称水平Czerny-Tuner光路，光栅面积55*55mm，最小步距0.0023nm，光谱范围200-1600nm；
10)配置全自动6档滤光片轮，消除各种杂散光尤其>600nm,标配滤光片3片，范围185-1600nm；
11)锁相放大器（斯坦福）：
a.mHz-102.4kHz频率范围；
b.大于100dB动态存储；
c.5ppm/oC的稳定性；
d.0.01度相位分辨率；
e.时间常数10us-30ks；
f.同步参考源信号；
g.GPIB及RS232接口；
h.9转25串口线；
i.USB转232串口线

该技术所检测的信息主要是样品表层（一般为几十纳米）的性质，因此不受基底或本体的影响，这对光敏表面的性质及界面电子转移过程的研究显然很重要。由于表面电压技术的原理是基于检测由入射光诱导的表面电荷的变化，其检测灵敏度很高，而借助场诱导表面光电压谱技术可以用来测定半导体的导电类型（特别是有机半导体的导电类型）、半导体表面参数，研究纳米晶体材料的光电特性，了解半导体光激发电荷分离和电荷转移过程，实现半导体的谱带解释，并为研究符合体系的光敏过程和光致界面电荷转移过程提供可行性方法。

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